SQD19P06-60L_GE3
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Numero parte | SQD19P06-60L_GE3 |
PNEDA Part # | SQD19P06-60L_GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 20A TO252 |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 50.148 |
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SQD19P06-60L_GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SQD19P06-60L_GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SQD19P06-60L_GE3, SQD19P06-60L_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 159,19 KB)
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SQD19P06-60L_GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1490pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 46W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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