IRFH8316TRPBF
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Numero parte | IRFH8316TRPBF |
PNEDA Part # | IRFH8316TRPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 32.262 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFH8316TRPBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRFH8316TRPBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRFH8316TRPBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta), 50A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.95mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3610pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 59W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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