SQD10N30-330H_GE3
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Numero parte | SQD10N30-330H_GE3 |
PNEDA Part # | SQD10N30-330H_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 17.058 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQD10N30-330H_GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SQD10N30-330H_GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
SQD10N30-330H_GE3, SQD10N30-330H_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 203,92 KB)
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SQD10N30-330H_GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2190pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 107W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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