SQ1563AEH-T1_GE3
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| Numero parte | SQ1563AEH-T1_GE3 |
| PNEDA Part # | SQ1563AEH-T1_GE3 |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.200 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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SQ1563AEH-T1_GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SQ1563AEH-T1_GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SQ1563AEH-T1_GE3, SQ1563AEH-T1_GE3 Datasheet
(Totale pagine: 15, Dimensioni: 294,28 KB)
  
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SQ1563AEH-T1_GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 850mA (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 89pF @ 10V, 84pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.5W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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