ALD1110EPAL
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| Numero parte | ALD1110EPAL |
| PNEDA Part # | ALD1110EPAL |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP |
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.502 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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ALD1110EPAL Risorse
| Brand | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ALD1110EPAL |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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ALD1110EPAL Specifiche
| Produttore | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 10V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Potenza - Max | 600mW |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V, 52nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V Potenza - Max 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerSMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel, Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A, 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 95A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V Potenza - Max 462W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 16V Potenza - Max 150mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
