SPP100N04S2-04
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| Numero parte | SPP100N04S2-04 |
| PNEDA Part # | SPP100N04S2-04 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.078 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SPP100N04S2-04 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SPP100N04S2-04 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
SPP100N04S2-04, SPP100N04S2-04 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 311,69 KB)
  
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SPP100N04S2-04 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7220pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3740pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 52W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-HVSON (3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
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