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RJK0349DSP-01#J0

RJK0349DSP-01#J0

Solo per riferimento

Numero parte RJK0349DSP-01#J0
PNEDA Part # RJK0349DSP-01-J0
Descrizione MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.572
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJK0349DSP-01#J0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJK0349DSP-01#J0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
RJK0349DSP-01#J0, RJK0349DSP-01#J0 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 119 KB)
PDFRJK0349DSP-01#J0 Datasheet Copertura
RJK0349DSP-01#J0 Datasheet Pagina 2 RJK0349DSP-01#J0 Datasheet Pagina 3 RJK0349DSP-01#J0 Datasheet Pagina 4 RJK0349DSP-01#J0 Datasheet Pagina 5 RJK0349DSP-01#J0 Datasheet Pagina 6 RJK0349DSP-01#J0 Datasheet Pagina 7 RJK0349DSP-01#J0 Datasheet Pagina 8 RJK0349DSP-01#J0 Datasheet Pagina 9

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RJK0349DSP-01#J0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3850pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

47W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPB45N06S3L-13

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.1mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

65W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMT10H015SK3-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

IRFI740GPBF

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

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STP2NK100Z

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.85A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

499pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

70W (Tc)

Temperatura di esercizio

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