SIZ920DT-T1-GE3
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| Numero parte | SIZ920DT-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIZ920DT-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.968 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIZ920DT-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIZ920DT-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIZ920DT-T1-GE3, SIZ920DT-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 212,52 KB)
  
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SIZ920DT-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 18.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 15V |
| Potenza - Max | 39W, 100W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 900mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 10V Potenza - Max 450mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 295mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 |
