Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

NTJD5121NT2G

NTJD5121NT2G

Solo per riferimento

Numero parte NTJD5121NT2G
PNEDA Part # NTJD5121NT2G
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 135.594
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTJD5121NT2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTJD5121NT2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTJD5121NT2G, NTJD5121NT2G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 124,92 KB)
PDFNVJD5121NT1G Datasheet Copertura
NVJD5121NT1G Datasheet Pagina 2 NVJD5121NT1G Datasheet Pagina 3 NVJD5121NT1G Datasheet Pagina 4 NVJD5121NT1G Datasheet Pagina 5 NVJD5121NT1G Datasheet Pagina 6 NVJD5121NT1G Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • NTJD5121NT2G Datasheet
  • where to find NTJD5121NT2G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTJD5121NT2G
  • NTJD5121NT2G PDF Datasheet
  • NTJD5121NT2G Stock

  • NTJD5121NT2G Pinout
  • Datasheet NTJD5121NT2G
  • NTJD5121NT2G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTJD5121NT2G Price
  • NTJD5121NT2G Distributor

NTJD5121NT2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C295mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds26pF @ 20V
Potenza - Max250mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

I prodotti a cui potresti essere interessato

SI7911DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

IRF9358TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.3mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1740pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI6925ADQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

SI3909DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

500mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

NTQD4154ZR2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1485pF @ 16V

Potenza - Max

1.52W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

Venduto di recente

M25P10-AVMN6P

M25P10-AVMN6P

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1M SPI 50MHZ 8SO

ADV7182WBCPZ

ADV7182WBCPZ

Analog Devices

IC VIDEO DECODER SDTV 32-LFCSP

ADM2587EBRWZ-REEL7

ADM2587EBRWZ-REEL7

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

ADR421ARMZ-REEL7

ADR421ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8MSOP

TAJA475K016RNJ

TAJA475K016RNJ

CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1206

MC74HC00ADR2G

MC74HC00ADR2G

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

T491A105K035AT

T491A105K035AT

KEMET

CAP TANT 1UF 10% 35V 1206

SMBJ5.0A-13-F

SMBJ5.0A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

FP25R12KE3BOSA1

FP25R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 1200V 25A

MP101301

MP101301

ZF Electronics

SENSOR HALL DIGITAL WIRE LEADS

UDZVTE-177.5B

UDZVTE-177.5B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 7.5V 200MW UMD2