IRF7755TR
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| Numero parte | IRF7755TR |
| PNEDA Part # | IRF7755TR |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7755TR Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF7755TR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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IRF7755TR Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V Potenza - Max 68W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-1205, 8-LFPAK56 Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56D |
