SIA928DJ-T1-GE3
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| Numero parte | SIA928DJ-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIA928DJ-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.272 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIA928DJ-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIA928DJ-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIA928DJ-T1-GE3, SIA928DJ-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 156,66 KB)
  
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SIA928DJ-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 15V |
| Potenza - Max | 7.8W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V, 117nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V Potenza - Max 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 731pF @ 20V Potenza - Max 1.6W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore IXYS Serie Polar™ Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 36A, 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V Potenza - Max 125W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia i4-Pac™-5 Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS i4-PAC™ |
