FDMS1D2N03DSD
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| Numero parte | FDMS1D2N03DSD |
| PNEDA Part # | FDMS1D2N03DSD |
| Descrizione | PT11N 30/12 & PT11N 30/12 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.546 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDMS1D2N03DSD Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMS1D2N03DSD |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
FDMS1D2N03DSD, FDMS1D2N03DSD Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 339,49 KB)
  
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FDMS1D2N03DSD Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V, 117nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
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