SI8901EDB-T2-E1
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| Numero parte | SI8901EDB-T2-E1 |
| PNEDA Part # | SI8901EDB-T2-E1 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.478 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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SI8901EDB-T2-E1 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI8901EDB-T2-E1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI8901EDB-T2-E1, SI8901EDB-T2-E1 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 97,24 KB)
  
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SI8901EDB-T2-E1 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 350µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-MICRO FOOT®CSP |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V Potenza - Max 3.6W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-VDFN Pacchetto dispositivo fornitore 4-QFN (2x2) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12pF @ 15V Potenza - Max 125mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-963 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-963 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V Potenza - Max 960mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 95A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V Potenza - Max 462W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6-P |
