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NTUD3129PT5G

NTUD3129PT5G

Solo per riferimento

Numero parte NTUD3129PT5G
PNEDA Part # NTUD3129PT5G
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 0.14A SOT-963
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.852
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTUD3129PT5G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTUD3129PT5G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTUD3129PT5G, NTUD3129PT5G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 81,92 KB)
PDFNTUD3129PT5G Datasheet Copertura
NTUD3129PT5G Datasheet Pagina 2 NTUD3129PT5G Datasheet Pagina 3 NTUD3129PT5G Datasheet Pagina 4 NTUD3129PT5G Datasheet Pagina 5

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NTUD3129PT5G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C140mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12pF @ 15V
Potenza - Max125mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-963
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-963

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 4.8A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2010pF @ 10V

Potenza - Max

450mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP (5.5x6.0)

AUIRF7379QTR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTM50AM17FG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

NTZD3152PT1H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563-6

APTM50A15FT1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5448pF @ 25V

Potenza - Max

208W

Temperatura di esercizio

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