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SI4941EDY-T1-E3

SI4941EDY-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI4941EDY-T1-E3
PNEDA Part # SI4941EDY-T1-E3
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.186
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI4941EDY-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI4941EDY-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI4941EDY-T1-E3, SI4941EDY-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 130,27 KB)
PDFSI4941EDY-T1-E3 Datasheet Copertura
SI4941EDY-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SI4941EDY-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SI4941EDY-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SI4941EDY-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SI4941EDY-T1-E3 Datasheet Pagina 6 SI4941EDY-T1-E3 Datasheet Pagina 7

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SI4941EDY-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max3.6W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Trinamic Motion Control GmbH

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A, 5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (3x3)

CSD87355Q5D

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Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 15V

Potenza - Max

12W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-LSON (5x6)

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NTJD2152PT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

775mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 8V

Potenza - Max

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