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ECH8659-TL-W

ECH8659-TL-W

Solo per riferimento

Numero parte ECH8659-TL-W
PNEDA Part # ECH8659-TL-W
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.578
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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ECH8659-TL-W Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteECH8659-TL-W
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ECH8659-TL-W, ECH8659-TL-W Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 550,68 KB)
PDFECH8659-M-TL-H Datasheet Copertura
ECH8659-M-TL-H Datasheet Pagina 2 ECH8659-M-TL-H Datasheet Pagina 3 ECH8659-M-TL-H Datasheet Pagina 4 ECH8659-M-TL-H Datasheet Pagina 5

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ECH8659-TL-W Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 4V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 10V
Potenza - Max1.3W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-28FL/ECH8

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTM50AM70FT1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

84mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

340nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10800pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

DMN61D9UDW-13

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28.5pF @ 30V

Potenza - Max

320mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

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Nexperia

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Potenza - Max

380mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Potenza - Max

3W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

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