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APTC60HM24T3G

APTC60HM24T3G

Solo per riferimento

Numero parte APTC60HM24T3G
PNEDA Part # APTC60HM24T3G
Descrizione MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.444
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTC60HM24T3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC60HM24T3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTC60HM24T3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Funzione FETSuper Junction
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs300nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14400pF @ 25V
Potenza - Max462W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Potenza - Max

48W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC, 6.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

125pF, 305pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 25V

Potenza - Max

18W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

660mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

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