BTS7904BATMA1
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| Numero parte | BTS7904BATMA1 |
| PNEDA Part # | BTS7904BATMA1 |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.104 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BTS7904BATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BTS7904BATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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BTS7904BATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V, 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 121nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 25V |
| Potenza - Max | 69W, 96W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-5-1 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 328mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 15V Potenza - Max 310mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore X2-DFN0806-6 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 111mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 15V Potenza - Max 1.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 280mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.76nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
