SCTW90N65G2V
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Numero parte | SCTW90N65G2V |
PNEDA Part # | SCTW90N65G2V |
Descrizione | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
Produttore | STMicroelectronics |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.498 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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SCTW90N65G2V Risorse
Brand | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SCTW90N65G2V |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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SCTW90N65G2V Specifiche
Produttore | STMicroelectronics |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 18V |
Vgs (massimo) | +22V, -10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 400V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 390W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | HiP247™ |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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