APTM100U13SG
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| Numero parte | APTM100U13SG |
| PNEDA Part # | APTM100U13SG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 65A J3 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.784 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTM100U13SG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM100U13SG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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APTM100U13SG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 32.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2000nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 31600pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1250W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Pacchetto / Custodia | J3 Module |
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