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R1WV3216RBG-7SI#S0

R1WV3216RBG-7SI#S0

Solo per riferimento

Numero parte R1WV3216RBG-7SI#S0
PNEDA Part # R1WV3216RBG-7SI-S0
Descrizione IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.184
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1WV3216RBG-7SI#S0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1WV3216RBG-7SI#S0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1WV3216RBG-7SI#S0, R1WV3216RBG-7SI#S0 Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 117,77 KB)
PDFR1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Copertura
R1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Pagina 2 R1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Pagina 3 R1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Pagina 4 R1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Pagina 5 R1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Pagina 6 R1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Pagina 7 R1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Pagina 8 R1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Pagina 9 R1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Pagina 10 R1WV3216RBG-7SR#B0 Datasheet Pagina 11

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R1WV3216RBG-7SI#S0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-FBGA (7.5x8.5)

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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CY7C1351F-100AC

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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CY7C1006B-15VXC

Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (256K x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

STK16C88-3WF35

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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