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NX6020CAKSX

NX6020CAKSX

Solo per riferimento

Numero parte NX6020CAKSX
PNEDA Part # NX6020CAKSX
Descrizione MOSFET N/P-CH TSSOP6
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.030
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NX6020CAKSX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNX6020CAKSX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NX6020CAKSX, NX6020CAKSX Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 308,26 KB)
PDFNX6020CAKSX Datasheet Copertura
NX6020CAKSX Datasheet Pagina 2 NX6020CAKSX Datasheet Pagina 3 NX6020CAKSX Datasheet Pagina 4 NX6020CAKSX Datasheet Pagina 5 NX6020CAKSX Datasheet Pagina 6 NX6020CAKSX Datasheet Pagina 7 NX6020CAKSX Datasheet Pagina 8 NX6020CAKSX Datasheet Pagina 9 NX6020CAKSX Datasheet Pagina 10 NX6020CAKSX Datasheet Pagina 11

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NX6020CAKSX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V, 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 100mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds17pF @ 10V, 36pF @ 25V
Potenza - Max330mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC, 6.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF, 305pF @ 15V

Potenza - Max

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerUDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

HUML2020L8

US6M1TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A, 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

TUMT6

IRF7103TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

PMDXB950UPEZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Potenza - Max

265mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1010B-6

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6250pF @ 25V

Potenza - Max

320W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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