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IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7103TRPBF
PNEDA Part # IRF7103TRPBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 570.672
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7103TRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7103TRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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IRF7103TRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 3A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Potenza - Max

5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W, 2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.66mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

115W

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Through Hole

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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