AUIRF7379QTR
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Numero parte | AUIRF7379QTR |
PNEDA Part # | AUIRF7379QTR |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.030 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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AUIRF7379QTR Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | AUIRF7379QTR |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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AUIRF7379QTR Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N and P-Channel |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A, 4.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
Potenza - Max | 2.5W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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