NTHL080N120SC1
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| Numero parte | NTHL080N120SC1 |
| PNEDA Part # | NTHL080N120SC1 |
| Descrizione | SIC MOS TO247 80MW 1200V |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 9.084 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTHL080N120SC1 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTHL080N120SC1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NTHL080N120SC1, NTHL080N120SC1 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 368,58 KB)
  
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NTHL080N120SC1 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +25V, -15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 800V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 348W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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