FQB4N90TM
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Numero parte | FQB4N90TM |
PNEDA Part # | FQB4N90TM |
Descrizione | MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.808 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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FQB4N90TM Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FQB4N90TM |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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FQB4N90TM Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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