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NSVMMBTH10LT1G

NSVMMBTH10LT1G

Solo per riferimento

Numero parte NSVMMBTH10LT1G
PNEDA Part # NSVMMBTH10LT1G
Descrizione RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.720
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSVMMBTH10LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVMMBTH10LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NSVMMBTH10LT1G, NSVMMBTH10LT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 91,3 KB)
PDFMMBTH10-4LT1 Datasheet Copertura
MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 2 MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 3 MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 4 MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 5

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NSVMMBTH10LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Frequenza - Transizione650MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

42GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

27.5dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

MS2248

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

60205

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz

Guadagno

6.5dB ~ 11dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-143R

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143R

2SC4215-Y(TE85L,F)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

550MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

17dB ~ 23dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

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