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BFP540FESDE6327

BFP540FESDE6327

Solo per riferimento

Numero parte BFP540FESDE6327
PNEDA Part # BFP540FESDE6327
Descrizione RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.798
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFP540FESDE6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFP540FESDE6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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BFP540FESDE6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5V
Frequenza - Transizione30GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Guadagno20dB
Potenza - Max250mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 3.5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore4-TSFP

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3V

Frequenza - Transizione

53GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.75dB @ 6GHz

Guadagno

15.8dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

205 @ 2mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

3-DFN1006 (1.0x0.6)

AT-42035G

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Guadagno

10dB ~ 13.5dB

Potenza - Max

600mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD (35 micro-X)

Pacchetto dispositivo fornitore

35 micro-X

BFG10,215

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

8V

Frequenza - Transizione

1.9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

2003

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB

Potenza - Max

12W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT-1

MMBTH24-7

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Frequenza - Transizione

400MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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