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NE46134-T1-QS-AZ

NE46134-T1-QS-AZ

Solo per riferimento

Numero parte NE46134-T1-QS-AZ
PNEDA Part # NE46134-T1-QS-AZ
Descrizione RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Produttore CEL
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Disponibile 8.172
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE46134-T1-QS-AZ Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE46134-T1-QS-AZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE46134-T1-QS-AZ, NE46134-T1-QS-AZ Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 1.502,43 KB)
PDFNE46134-T1-QS-AZ Datasheet Copertura
NE46134-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 2 NE46134-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 3 NE46134-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 4 NE46134-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 5 NE46134-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 6

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NE46134-T1-QS-AZ Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione5.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Guadagno7dB
Potenza - Max2W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)250mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-89

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BFR106E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz

Guadagno

8.5dB ~ 13dB

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

210mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MRF5812GR2

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Guadagno

13dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

1.25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

NE67839-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

10dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

HFA3127R

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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