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MRF5812GR2

MRF5812GR2

Solo per riferimento

Numero parte MRF5812GR2
PNEDA Part # MRF5812GR2
Descrizione RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.784
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MRF5812GR2 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMRF5812GR2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MRF5812GR2, MRF5812GR2 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 121,5 KB)
PDFMRF5812GR1 Datasheet Copertura
MRF5812GR1 Datasheet Pagina 2 MRF5812GR1 Datasheet Pagina 3 MRF5812GR1 Datasheet Pagina 4 MRF5812GR1 Datasheet Pagina 5

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MRF5812GR2 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 500MHz
Guadagno13dB ~ 15.5dB
Potenza - Max1.25W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz

Guadagno

20dB ~ 23dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

64010H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

JANTXV2N4957UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

MS2472

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

5.6dB

Potenza - Max

1350W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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