NDS9952A
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| Numero parte | NDS9952A |
| PNEDA Part # | NDS9952A |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 24.282 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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NDS9952A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NDS9952A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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NDS9952A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A, 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
| Potenza - Max | 900mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 900mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 10V Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.58A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1495pF @ 10V Potenza - Max 880mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 505pF @ 20V Potenza - Max - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore SOT-28FL/ECH8 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V Potenza - Max 960mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V Potenza - Max 320mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
