DMN2016UTS-13
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| Numero parte | DMN2016UTS-13 |
| PNEDA Part # | DMN2016UTS-13 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 280.842 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN2016UTS-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN2016UTS-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMN2016UTS-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.58A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1495pF @ 10V |
| Potenza - Max | 880mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-EMH |
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