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N04L63W1AB27IT

N04L63W1AB27IT

Solo per riferimento

Numero parte N04L63W1AB27IT
PNEDA Part # N04L63W1AB27IT
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.420
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

N04L63W1AB27IT Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteN04L63W1AB27IT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
N04L63W1AB27IT, N04L63W1AB27IT Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 190,54 KB)
PDFN04L63W1AB27I Datasheet Copertura
N04L63W1AB27I Datasheet Pagina 2 N04L63W1AB27I Datasheet Pagina 3 N04L63W1AB27I Datasheet Pagina 4 N04L63W1AB27I Datasheet Pagina 5 N04L63W1AB27I Datasheet Pagina 6 N04L63W1AB27I Datasheet Pagina 7 N04L63W1AB27I Datasheet Pagina 8 N04L63W1AB27I Datasheet Pagina 9 N04L63W1AB27I Datasheet Pagina 10

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N04L63W1AB27IT Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-BGA (6x8)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ms

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

NP8P128AE3T1760E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Omneo™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

PCM (PRAM)

Tecnologia

PCM (PRAM)

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel, SPI

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

135ns

Tempo di accesso

135ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-EasyBGA (8x10)

S29GL064N90TAI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

S34ML01G100TFB000

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

ML-1

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

W25X40BVSSIG

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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