NP8P128AE3T1760E
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| Numero parte | NP8P128AE3T1760E |
| PNEDA Part # | NP8P128AE3T1760E |
| Descrizione | IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.904 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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NP8P128AE3T1760E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NP8P128AE3T1760E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
NP8P128AE3T1760E, NP8P128AE3T1760E Datasheet
(Totale pagine: 86, Dimensioni: 2.598,83 KB)
  
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NP8P128AE3T1760E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | Omneo™ |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | PCM (PRAM) |
| Tecnologia | PCM (PRAM) |
| Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel, SPI |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 135ns |
| Tempo di accesso | 135ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 64-TBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 64-EasyBGA (8x10) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 5.0ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-VFBGA (9x13) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 1ms Tempo di accesso 120ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TC) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR Dimensione della memoria 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 700ps Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 66-TSOP |
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