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MX29LV160DBXEI-70G

MX29LV160DBXEI-70G

Solo per riferimento

Numero parte MX29LV160DBXEI-70G
PNEDA Part # MX29LV160DBXEI-70G
Descrizione IC FLASH 16M PARALLEL 48LFBGA
Produttore Macronix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.524
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MX29LV160DBXEI-70G Risorse

Brand Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMX29LV160DBXEI-70G
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MX29LV160DBXEI-70G, MX29LV160DBXEI-70G Datasheet (Totale pagine: 66, Dimensioni: 2.462,58 KB)
PDFMX29LV160DBXHI-90G Datasheet Copertura
MX29LV160DBXHI-90G Datasheet Pagina 2 MX29LV160DBXHI-90G Datasheet Pagina 3 MX29LV160DBXHI-90G Datasheet Pagina 4 MX29LV160DBXHI-90G Datasheet Pagina 5 MX29LV160DBXHI-90G Datasheet Pagina 6 MX29LV160DBXHI-90G Datasheet Pagina 7 MX29LV160DBXHI-90G Datasheet Pagina 8 MX29LV160DBXHI-90G Datasheet Pagina 9 MX29LV160DBXHI-90G Datasheet Pagina 10 MX29LV160DBXHI-90G Datasheet Pagina 11

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MX29LV160DBXEI-70G Specifiche

ProduttoreMacronix
SerieMX29LV
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-LFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-LFBGA, CSP (6x8)

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

87MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

80ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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