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S29VS128RABBHW003

S29VS128RABBHW003

Solo per riferimento

Numero parte S29VS128RABBHW003
PNEDA Part # S29VS128RABBHW003
Descrizione IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

S29VS128RABBHW003 Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteS29VS128RABBHW003
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
S29VS128RABBHW003, S29VS128RABBHW003 Datasheet (Totale pagine: 72, Dimensioni: 2.247,02 KB)
PDFS29XS128RABBHW000 Datasheet Copertura
S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 2 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 3 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 4 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 5 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 6 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 7 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 8 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 9 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 10 S29XS128RABBHW000 Datasheet Pagina 11

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S29VS128RABBHW003 Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieVS-R
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock108MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina60ns
Tempo di accesso80ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore44-FBGA (7.5x5)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

2Gb (64M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-WFBGA (12x12)

SST25PF020B-80-4C-Q3AE-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST25

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-USON (2x3)

MX29F040CTI-70G

Macronix

Produttore

Macronix

Serie

MX29F

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

25LC320XT-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

MT29F4G16ABADAWP-AIT:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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