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MUBW30-12A6

MUBW30-12A6

Solo per riferimento

Numero parte MUBW30-12A6
PNEDA Part # MUBW30-12A6
Descrizione MODULE IGBT CBI E1
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.094
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MUBW30-12A6 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMUBW30-12A6
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
MUBW30-12A6, MUBW30-12A6 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 254,46 KB)
PDFMUBW30-12A6 Datasheet Copertura
MUBW30-12A6 Datasheet Pagina 2 MUBW30-12A6 Datasheet Pagina 3 MUBW30-12A6 Datasheet Pagina 4 MUBW30-12A6 Datasheet Pagina 5

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MUBW30-12A6 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneThree Phase Inverter with Brake
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)31A
Potenza - Max104W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 15A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1nF @ 25V
InputThree Phase Bridge Rectifier
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaE1
Pacchetto dispositivo fornitoreE1

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

IRG7T50FF12E

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR ECO 2™ Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR ECO 2™

FF450R12ME4B11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

675A

Potenza - Max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT75A120D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Potenza - Max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

4mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5345nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

VS-20MT120UFP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Potenza - Max

240W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.66V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.79nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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