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IRG7T50FF12E

IRG7T50FF12E

Solo per riferimento

Numero parte IRG7T50FF12E
PNEDA Part # IRG7T50FF12E
Descrizione MOD IGBT 1200V 50A 6PK POWIRECO2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.352
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG7T50FF12E Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG7T50FF12E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
IRG7T50FF12E, IRG7T50FF12E Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 860,61 KB)
PDFIRG7T50FF12E Datasheet Copertura
IRG7T50FF12E Datasheet Pagina 2 IRG7T50FF12E Datasheet Pagina 3 IRG7T50FF12E Datasheet Pagina 4 IRG7T50FF12E Datasheet Pagina 5 IRG7T50FF12E Datasheet Pagina 6

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IRG7T50FF12E Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Potenza - Max340W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce6.7nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaPOWIR ECO 2™ Module
Pacchetto dispositivo fornitorePOWIR ECO 2™

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Tipo IGBT

Trench

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

288A

Potenza - Max

1087W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

APTGF300DA120D3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

420A

Potenza - Max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

APTGT100DH170G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

560W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

APTGTQ100H65T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3F

APT65GP60J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

431W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 65A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

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