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MTMC8E2A0LBF

MTMC8E2A0LBF

Solo per riferimento

Numero parte MTMC8E2A0LBF
PNEDA Part # MTMC8E2A0LBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MTMC8E2A0LBF Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMTMC8E2A0LBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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MTMC8E2A0LBF Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1450pF @ 10V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreWMini8-F1

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

MPT6

DMHC3025LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 15V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

MCH6663-TL-W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88FL/MCPH6

IRF7754GTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1984pF @ 6V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

185pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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