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DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13

Solo per riferimento

Numero parte DMHC3025LSD-13
PNEDA Part # DMHC3025LSD-13
Descrizione MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 150.162
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMHC3025LSD-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMHC3025LSD-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMHC3025LSD-13, DMHC3025LSD-13 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 524,59 KB)
PDFDMHC3025LSD-13 Datasheet Copertura
DMHC3025LSD-13 Datasheet Pagina 2 DMHC3025LSD-13 Datasheet Pagina 3 DMHC3025LSD-13 Datasheet Pagina 4 DMHC3025LSD-13 Datasheet Pagina 5 DMHC3025LSD-13 Datasheet Pagina 6 DMHC3025LSD-13 Datasheet Pagina 7 DMHC3025LSD-13 Datasheet Pagina 8 DMHC3025LSD-13 Datasheet Pagina 9

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  • DMHC3025LSD-13 Distributor

DMHC3025LSD-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 15V
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 15V

Potenza - Max

3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

5.6V @ 50mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Potenza - Max

880W

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

ALD110904SAL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.4V

Vgs (th) (Max) @ Id

420mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SSM6P36FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

330mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.31Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6 (1.6x1.6)

SSM6P15FU,LF

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.7V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.1pF @ 3V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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