MT3S20TU(TE85L)
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| Numero parte | MT3S20TU(TE85L) |
| PNEDA Part # | MT3S20TU-TE85L |
| Descrizione | RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.094 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT3S20TU(TE85L) Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT3S20TU(TE85L) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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MT3S20TU(TE85L) Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 12V |
| Frequenza - Transizione | 7GHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 20mA, 5V |
| Guadagno | 12dB |
| Potenza - Max | 900mW |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 80mA |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 3-SMD, Flat Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UFM |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 15V Frequenza - Transizione 5.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 2.5dB @ 1GHz Guadagno 17dB Potenza - Max 180W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 14mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 30A Temperatura di esercizio 200°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia M150 Pacchetto dispositivo fornitore M150 |
