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2N5109

2N5109

Solo per riferimento

Numero parte 2N5109
PNEDA Part # 2N5109_5E
Descrizione RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.960
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

2N5109 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte2N5109
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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2N5109 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Frequenza - Transizione1.2GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno12dB
Potenza - Max2.5W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 15V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)400mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-39

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

5.8dB

Potenza - Max

117W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

M111

Pacchetto dispositivo fornitore

M111

BFP540FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

30GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

PN5179

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

82094

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS1202

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Frequenza - Transizione

118MHz ~ 136MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.4dB

Potenza - Max

15W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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