MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B
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| Numero parte | MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B |
| PNEDA Part # | MT29E1HT08EMHBBJ4-3-B |
| Descrizione | IC FLASH 1.5T PARALLEL VBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.868 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 1.5Tb (192G x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.5V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 132-VBGA (12x18) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EERAM Tecnologia EEPROM, SRAM Dimensione della memoria 4Kb (512 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 1ms Tempo di accesso 400ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
