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IS62WV102416DBLL-55TLI

IS62WV102416DBLL-55TLI

Solo per riferimento

Numero parte IS62WV102416DBLL-55TLI
PNEDA Part # IS62WV102416DBLL-55TLI
Descrizione IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 44
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS62WV102416DBLL-55TLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS62WV102416DBLL-55TLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS62WV102416DBLL-55TLI, IS62WV102416DBLL-55TLI Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 998,43 KB)
PDFIS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Copertura
IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Pagina 2 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Pagina 3 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Pagina 4 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Pagina 5 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Pagina 6 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Pagina 7 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Pagina 8 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Pagina 9 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Pagina 10 IS65WV102416DBLL-55CTLA3 Datasheet Pagina 11

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  • IS62WV102416DBLL-55TLI Distributor

IS62WV102416DBLL-55TLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-TSOP I

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT28F640J3FS-115 XMET TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

115ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-FBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (10x13)

71V67603S150BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

25LC512-E/P

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

132-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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