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MS2563

MS2563

Solo per riferimento

Numero parte MS2563
PNEDA Part # MS2563
Descrizione RF POWER TRANSISTOR
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.762
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MS2563 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMS2563
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MS2563 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistor-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MPS3563

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

1.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

Guadagno

14dB @ 200MHz

Potenza - Max

350W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

55GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 12GHz

Guadagno

13dB

Potenza - Max

136mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DFP

BFS 386L6 E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Guadagno

10dB ~ 14.5dB

Potenza - Max

210mW, 380mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA, 80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TSLP-6-1

MRF321

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

33V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13dB

Potenza - Max

10W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.1A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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