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BFS 386L6 E6327

BFS 386L6 E6327

Solo per riferimento

Numero parte BFS 386L6 E6327
PNEDA Part # BFS-386L6-E6327
Descrizione RF TRANS 2 NPN 6V 14GHZ TSLP-6-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFS 386L6 E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFS 386L6 E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFS 386L6 E6327, BFS 386L6 E6327 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 104,03 KB)
PDFBFS 386L6 E6327 Datasheet Copertura
BFS 386L6 E6327 Datasheet Pagina 2 BFS 386L6 E6327 Datasheet Pagina 3 BFS 386L6 E6327 Datasheet Pagina 4

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BFS 386L6 E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6V
Frequenza - Transizione14GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Guadagno10dB ~ 14.5dB
Potenza - Max210mW, 380mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA, 80mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreTSLP-6-1

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AT-41511-TR2G

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Guadagno

11dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143

TCS800

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB ~ 9dB

Potenza - Max

1944W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Temperatura di esercizio

230°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55SM

Pacchetto dispositivo fornitore

55SM

BFP420E6433HTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

SD1244-09H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFR182E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

12dB ~ 18dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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