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MRF8372MR1

MRF8372MR1

Solo per riferimento

Numero parte MRF8372MR1
PNEDA Part # MRF8372MR1
Descrizione TRANS NPN 16V 200MA
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.652
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 1 - lug 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MRF8372MR1 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMRF8372MR1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MRF8372MR1 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistor-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Tipo di transistor

NPN

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80V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.58dB

Potenza - Max

188W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Guadagno

7.2dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

BGR420H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

13V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

120mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

BFP196WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

12.5dB ~ 19dB

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

BFR 183T E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

19.5dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SC-75

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