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BGR420H6327XTSA1

BGR420H6327XTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BGR420H6327XTSA1
PNEDA Part # BGR420H6327XTSA1
Descrizione RF TRANS NPN 13V SOT343-4
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.244
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BGR420H6327XTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBGR420H6327XTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BGR420H6327XTSA1, BGR420H6327XTSA1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 310,74 KB)
PDFBGR420H6327XTSA1 Datasheet Copertura
BGR420H6327XTSA1 Datasheet Pagina 2 BGR420H6327XTSA1 Datasheet Pagina 3 BGR420H6327XTSA1 Datasheet Pagina 4 BGR420H6327XTSA1 Datasheet Pagina 5 BGR420H6327XTSA1 Datasheet Pagina 6 BGR420H6327XTSA1 Datasheet Pagina 7

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BGR420H6327XTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)13V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
Guadagno-
Potenza - Max120mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)25mA
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT343-4

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

22dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-143R

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143R-4

TPR1000

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6dB

Potenza - Max

2900W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55KV

Pacchetto dispositivo fornitore

55KV

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

8V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

MS2228

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

175W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5.4A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M214

Pacchetto dispositivo fornitore

M214

MAX2602ESA-T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Guadagno

11.6dB

Potenza - Max

6.4W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

Venduto di recente

MAX8216ESD+

MAX8216ESD+

Maxim Integrated

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BT137S-600D,118

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