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FTCO3V455A1

FTCO3V455A1

Solo per riferimento

Numero parte FTCO3V455A1
PNEDA Part # FTCO3V455A1
Descrizione MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $309,3955
50 ---------- $294,8925
100 ---------- $280,3896
200 ---------- $265,8867
400 ---------- $253,8010
500 ---------- $241,7152
Disponibile 60
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FTCO3V455A1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFTCO3V455A1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FTCO3V455A1, FTCO3V455A1 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 998,31 KB)
PDFFTCO3V455A1 Datasheet Copertura
FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 2 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 3 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 4 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 5 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 6 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 7 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 8 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 9 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 10 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 11

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FTCO3V455A1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieSPM®
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.66mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max115W
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia19-PowerDIP Module
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18.5A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 15V

Potenza - Max

3.7W (Ta), 16.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3281pF @ 25V

Potenza - Max

68W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-1205, 8-LFPAK56

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

133mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

330mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 30V

Potenza - Max

860mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A, 1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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