FTCO3V455A1
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| Numero parte | FTCO3V455A1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | FTCO3V455A1 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 60 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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FTCO3V455A1 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | FTCO3V455A1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FTCO3V455A1 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | SPM® |
| Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.66mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 115W |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 19-PowerDIP Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 330mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 30V Potenza - Max 860mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17.5A, 38A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 13V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore Power56 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 13V Potenza - Max 1.7W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric SA Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ SA |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 43A Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 372nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V Potenza - Max 780W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
