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FTCO3V455A1

FTCO3V455A1

Solo per riferimento

Numero parte FTCO3V455A1
PNEDA Part # FTCO3V455A1
Descrizione MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $309,3955
50 ---------- $294,8925
100 ---------- $280,3896
200 ---------- $265,8867
400 ---------- $253,8010
500 ---------- $241,7152
Disponibile 60
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
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FTCO3V455A1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFTCO3V455A1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FTCO3V455A1, FTCO3V455A1 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 998,31 KB)
PDFFTCO3V455A1 Datasheet Copertura
FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 2 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 3 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 4 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 5 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 6 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 7 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 8 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 9 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 10 FTCO3V455A1 Datasheet Pagina 11

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FTCO3V455A1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieSPM®
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.66mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max115W
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia19-PowerDIP Module
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

300mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88 (SC-70-6)

FDMS3620S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 13V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

SP8M5FU6TB

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

FDG6303N_G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88 (SC-70-6)

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3281pF @ 25V

Potenza - Max

68W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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