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MKE38P600TLB

MKE38P600TLB

Solo per riferimento

Numero parte MKE38P600TLB
PNEDA Part # MKE38P600TLB
Descrizione MOSFET N-CH
Produttore IXYS
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Disponibile 6.120
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MKE38P600TLB Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMKE38P600TLB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
MKE38P600TLB, MKE38P600TLB Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 1.123,72 KB)
PDFMKE38P600TLB-TRR Datasheet Copertura
MKE38P600TLB-TRR Datasheet Pagina 2 MKE38P600TLB-TRR Datasheet Pagina 3 MKE38P600TLB-TRR Datasheet Pagina 4

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MKE38P600TLB Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia9-SMD Module
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS-SMPD™.B

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Potenza - Max

840mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 6V

Potenza - Max

910mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V, 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A, 1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

TUMT6

SIZF918DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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